在先进封装工艺的核心环节，ULVAC的溅射和去胶技术针对先进封装的特殊需求进行了深度优化。
灰化工艺
ULVAC的NA采用独特的等离子体处理方案，能够高效清除高密度互连结构中的光刻胶残留，同时保持底层介电材料的完整性。特别是在扇出型封装（Fan-Out）的RDL制程中，这种洁净处理能力可有效防止线路短路，提升良率。
我们的NA提供两种型号：一种兼容晶圆，另一种兼容面板。晶圆兼容型号采用晶圆尺寸无限制设计，可处理从下一代晶圆工艺到晶圆级封装的广泛制程，是半导体封装领域应用最广泛的设备。面板兼容型号支持最大600毫米方形的面板尺寸，即使在大尺寸面板上也能实现均匀的去胶处理和钛蚀刻工艺。
溅射技术三大核心优势
1、台阶覆盖性。通过创新的等离子体控制技术，可在TSV硅通孔和再布线层（RDL）等复杂结构表面实现均匀的铜/铝薄膜沉积，确保高深宽比结构的完整金属化
2、应力控制。精确的工艺参数调节使沉积薄膜具有理想的机械特性，避免因热膨胀系数不匹配导致的翘曲或分层问题
3、亚微米级的薄膜均匀性。这对2.5D/3D封装中微凸点（Microbump）的可靠互连至关重要，直接影响到最终产品的电性能和可靠性。
相关设备
工艺运用到的产品设备
溅射
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Model:uGmni-300S
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Model:SME
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Model:SRH
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Model:SMV
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Model:SIV，SCV
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Model:SIH，SCH
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Model:SV
刻蚀
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Model:uGmni-300S
CVD
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Model:CME
PE-CVD
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Model:CME
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Model:uGmni-200C
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Model:CC-200
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