SiC功率器件解决方案
在SiC器件的量产制造领域，作为全球的先行者之一，ULVAC可在SiC晶圆的量产过程中，提供包括注入，刻蚀，溅射，蒸发，去胶等多段制程的设备及工艺方案。
离子注入（n+注入）
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Model:IH
掩膜刻蚀
SiC沟槽刻蚀
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Model:uGmini-200E
离子注入（p+注入）
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Model:IH
碳膜溅射
活化退火
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Model:CS
碳膜去除
栅极绝缘膜刻蚀
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Model:uGmni-200E
正面源电极溅射成膜
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Model:uGmni-300S
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Model:SME
相关设备
工艺运用到的产品设备
刻蚀
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Model:NE-550EX
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Model:uGmni-300S
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Model:uGmni-200E
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Model:NLD-5700
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Model:NLD-570
溅射
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Model:uGmni-300S
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Model:SME
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Model:SRH
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Model:CS
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Model:SEGul-200
去胶灰化
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Model:NA
蒸镀
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Model:ei-5, EVD-600LP
离子注入
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Model:SOPHI
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Model:IH
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Model:SOPHI-400
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Model:IMX-3500
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