表面分析检测
X射线光电子能谱
PHI GENESIS 500
通过用贵金属电极夹持数μm的铁电体，形成压电元件。ULVAC 提供的溅射设备可稳定沉积世界最高水平的 PZT 溅射膜。（CMOS上成膜对应：PZT成膜温度 < 500°C）搭载多腔室，可成膜PZT full stack（上下电极+PZT）。
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硬X射线光电子能谱仪
PHI GENESIS 900
硬X射线光电子能谱(HAXPES)是一种先进的表面分析技术，主要用于研究固体样品的表面电子结构和化学态。HAXPES利用高能X射线(例如Cr Ka 射线能量为5414.7eV)激发样品表面的电子。
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俄歇电子能谱
PHI 710
AES(Auger Electron Spectroscopy)是利用电子東电离激发原子内层电子，探测退激发过程出射的俄歇电子，获得样品表面的组成及化学性质的分析方法。AES不仅表面灵敏，而且具有纳米级的空间分辨率，因此广泛应用于半导体器件、微电子器件和材料科学等研究。
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飞行时间二次离子质谱仪
PHl nanoTOF3+
TOF-SlMS(Time of Flight Secondary lon Mass Spectrometry)是利用脉冲离子東轰击样品表面产生二次离子，经飞行时间分析器分析二次离子到达探测器的时间，从而获得样品表面成份信息的分析技术。其表面灵感度高,提供表面几个原子层的分子、元素及其同位素的组成信息，运用于所有元素和同位素,包括氢元素。
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动态二次离子质谱仪
PHI ADEPT 1010
ADEPT-1010专为浅层半导体注入和绝缘薄膜的自动分析而设计，是大多数半导体开发和支持实验室的常用工具。通过优化的二次离子收集光学系统和超高真空设计，提供了薄膜结构检测中的掺杂组分和常见杂质所需的灵敏度。
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