从微米级芯片的巨量转移，到红光效率低下的全彩化难题，再到高密度驱动集成与微尺度检测修复，每一个环节都考验着产业链的技术极限。Yole Group指出，MicroLED技术已进入“成败关键阶段”，行业内首条商用生产线正在加速产能爬坡，技术必须证明其良率、可制造性和成本能够走向平衡。

01

爱发科技术优势

        针对MicroLED全链路工艺需求，爱发科打造了覆盖透明导电膜图形化、刻蚀、牺牲层去除、金属电极沉积、反射膜沉积等关键环节的专业设备与解决方案。

02

新型高载流子浓度n-GaN溅射工艺

        常规MicroLED器件受限于p-GaN导电性较低，易出现电流拥挤和较高串联电阻等问题。在此背景下，新型器件结构在顶部引入高载流子浓度n-GaN层，有望改善载流子注入与导电特性，促进电流均匀分布，从而对器件效率与发光均匀性的提升具有潜在价值。

03

采用“RaSE”技术沉积的n-GaN薄膜

        采用爱发科“RaSE”法（Radical assist Sputter Epitaxy）在GaN Template上再生长的n-GaN薄膜。XRD的结果显示，sputter层的半高宽与Template层无明显差异，表明晶体质量未出现明显劣化。TEM结果显示，sputter层与Template层的界面平直，结合紧密。表明通过RaSE法生长的膜层外延性良好。并且我们通过优化溅射条件，可有效调控薄膜的电学特性，实现n型载流子浓度在1×10¹⁹ ~ 1×10²⁰ cm⁻³范围内的可控掺杂。

        爱发科GaN服务平台已全面开启，诚邀产业链伙伴零风险验证，共同加速产业从“技术可行”走向“量产可靠”。点击二维码报名，携手爱发科，点亮下一代显示的未来。

GaN服务平台: 高载流子浓度n-GaN溅射Demo服务全面开启

・零风险验证：亲自验证爱发科溅射外延工艺与您产线的匹配度

・降成本：免去设备采购前的漫长评估与昂贵试错成本，研发投入更理智

・快决策：专业工程师全程陪同，打样→数据报告→决策，周期大幅缩短

扫描左侧二维码报名参与

 

如有任何疑问

请联络：

marketing@ulvac.com.cn