GaN HEMT解决方案
在GaN HEMT的制造过程中，ULVAC可在注入，刻蚀，蒸发，溅射等多道制程提供设备及工艺解决方案。
GaN外延生长
n+离子注入/刻蚀
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Model:uGmini-200E
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Model:NA
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Model:SOPHI
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Model:IH
Isolation离子注入
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Model:SOPHI
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Model:IH
Gate加工
AlGaN recess or 选择性Etch
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Model:uGmini-200E
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Model:NA
S/D电极形成
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Model:SME
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Model:Ei
SiNx绝缘膜
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Model:CME
SiNxGate绝缘膜加工
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Model:uGmini-200E
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Model:NA
Gate电极形成&Lift-off
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Model:Ei
晶圆键合&减薄
背面via SiC Etch
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Model:uGmini-200E
形成种子金属层
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Model:SME
电镀
相关设备
工艺运用到的产品设备
刻蚀
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Model:uGmini-200E
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Model:NE-550EX
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Model:uGmni-300S
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Model:NLD-5700
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Model:NLD-570
溅射
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Model:uGmni-300S
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Model:SME
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Model:SRH
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Model:CS
去胶灰化
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Model:NA
蒸镀
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Model:ei-5, EVD-600LP
离子注入
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Model:SOPHI
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Model:IH
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Model:SOPHI-400
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Model:IMX-3500
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