半导体制造装置向け
溅射靶
作为最先进薄膜材料的阿尔巴克的半导体用靶材，以“低颗粒物”、“均匀的膜厚分布”、“高使用效率”为质量目标，针对每种材料分别研究制造方法，开发制造出高质量的溅射靶。
特长
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半导体用铝靶提供降低了杂质金属成分和氧等气体成分材料，抑制溅射时的粒子产生
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半导体用高纯度靶（W、Co、Ti）采用注意金属组织的微细、均质化的制造工艺 例）高纯度钴靶：通过金属组织的微细、均质化，使目标表面上泄漏的磁通量的偏差 最小化 例）钨靶：可根据顾客要求控制结晶粒径或降低气体成分
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SPC通过管理确保万无一失的质量
半导体装置用溅射靶材料
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应用领域 |
材質 |
使用目的 |
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电极材料 |
W（5牛） |
门 |
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WSi（5N） |
门 |
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钴（5N） |
门 |
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镍（5N） |
门 |
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钛（5N） |
门 |
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各种硅化物（4N 以上） |
门 |
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配线材料 |
Al（5N、5N5）及AlCu等的铝合金（5N、5N5） |
配线层 |
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SiO2（4N、6N） |
绝缘材料 |
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实装配线用 |
铝（5N、5N5）及铝合金（5N、5N5） |
配线 |
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铜（4N） |
配线 |
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铬（3N） |
屏障 |
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TiW（4N 以上） |
屏障 |
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镍（5N） |
屏障 |
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电容器材料用 |
二叉搜索树 |
DRAM电容器/薄膜电容器 |
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锆钛酸铅 |
铁电随机存取存储器 |
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阻挡材料 |
钛（4N5） |
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TiW（4N 以上） |
主要300毫米晶圆用靶材
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目标材料 |
Al-0.5质量%Cu |
钛 |
输入：W |
硅烷 |
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纯度 |
5N5up（低 U、Th 规格） |
5N |
5N |
5N |
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背板材料 |
Al合金材或Cu合金 |
Al合金 |
Al合金材或Cu、Cu合金 |
Al合金材或Cu、Cu合金 |
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接合方法 |
电子束焊接、一体结构品或金属粘接剂 |
扩散接合 |
金属键合、扩散键合 |
金属粘合剂 |
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