高性能非制冷红外探测器要求VOx热敏材料具有高温度电阻系数（TCR）和稳定的方阻（Rs），以确保灵敏度和电路匹配性。由于晶圆级封装需采用Au-Sn键合工艺（≥280℃），VOx薄膜必须耐受高温并保持Rs稳定，这对器件性能和量产良率至关重要。因此，需精准控制薄膜的沉积与图形化工艺。
※NETD：噪声等效温差，该数值越小，表示器件综合性能越高
关键技术
VOx Deposition (Sputter)
ULVAC的溅射技术通过精确的工艺控制，可实现对VOx薄膜特性的精准调控，确保其具备优异的TCR性能、出色的Rs均匀性以及卓越的热稳定性。
Diaphragm (Ashing250℃)
与此同时，我们的去胶设备在确保去胶效率的同时，能够有效控制残胶问题，已成为众多量产客户的选择方案，为VOx薄膜的结构完整性和工艺稳定性提供支持。
相关设备
工艺运用到的产品设备
溅射
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Model:uGmni-200S
去胶灰化
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Model:NA-1300
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